IPB11N03LA G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB11N03LA G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB11N |
IPB11N03LA G Einzelheiten PDF [English] | IPB11N03LA G PDF - EN.pdf |
IPB120N04S4-02 INF
IPB11N60S5 INFINEON
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
INFINEON PG-TO263-3
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
IPB120N04S4-01 INF
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPB114N03LG VB
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
INFINEON TO-263-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON TO-263
IPB114N03L Infineon
INF TO-263
IPB11N03LAG VB
IPB120N04S4-02(4N0402) INFINEO
2024/10/8
2024/08/29
2024/04/4
2024/01/24
IPB11N03LA GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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